【極上品】SONY TA-F333ESJ プリメインアンプ MOS FET

オールFETアンプ構成と非磁性パワーMOS FET出力段を採用したプリメインアンプ。

出力段素子に新開発のオーディオ専用・非磁性パワーMOS FET(メタルオキサイドセミコンダクターFET)を採用しています。
パワーMOS FETは、もともと小信号のスイッチング素子として開発されたMOS FETを、優れた高周波特性やスイッチング速度をそのままに、大電力増幅を可能にしたものです。
この素子は、入力インピーダンスが高いためドライバー段の負担が少なく、比較的シンプルな回路構成で高音質が得られることに加え、二乗特性の伝達関数を持つため、歪は偶数次のものが主体で、音質への悪影響が少ないという特長を持ってます。
また、ゲートが絶縁された電圧制御素子であるため、ドライバー段と出力段を電気的に分離でき、互いの干渉を無くす事が可能です。

このパワーMOS FETを、各チャンネル当りパラレルプッシュプルで2ペア、計8個のパワーMOS FETを出力段に使用しています。
さらに、電圧増幅段(Aクラス段)およびドライバー段にもMOS FETを採用したことで、入力から出力までのオールFETアンプ構成を実現しています。

シャーシ構造には、無振動・無共振設計を徹底したGシャーシを採用しています。
Gシャーシは、大理石の主成分である炭酸カルシウムを不飽和ポリエステルに加え、グラスファイバーで強化したもので、高い強度を有しながら内部損失が大きく、優れた振動減衰特性を持っています。
これにより、外部振動や電源部などで発生する内部振動を抑え、振動や共振による変調ノイズの発生を大幅に低減しています。
また、Gシャーシは非磁性・非金属なため、電源トランスやコンデンサーなどから誘発される電磁歪やうず電流の発生が無く、音質的に有利となっています。

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